SIHF16N50C-E3

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SIHF16N50C-E3概述

VISHAY  SIHF16N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V

The is a 560VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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100% Avalanche tested
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Gate charge improved
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Improved trr/Qrr

e络盟:
VISHAY  SIHF16N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak


SIHF16N50C-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.31 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 156 ns

下降时间 31 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHF16N50C-E3
型号: SIHF16N50C-E3
描述:VISHAY  SIHF16N50C-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 500 V, 0.31 ohm, 10 V, 3 V
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SIHF16N50C-E3

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