SIHG22N50D-GE3概述
N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
The is a D series N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for consumer electronics, telecom power supply and battery charger applications.
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- Low area specific ON-resistance
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- Low input capacitance CISS
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- Reduced capacitive switching losses
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- High body diode ruggedness
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- Avalanche energy rated UIS
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- Simple gate drive circuitry
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- Low figure-of-merit FOM Ron x Qg
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- Fast switching
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- Halogen-free
SIHG22N50D-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.185 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 312 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 1938pF @10VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 312 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 Consumer Electronics, Power Management, Industrial, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIHG22N50D-GE3
型号： SIHG22N50D-GE3
描述：N 通道 MOSFET，D 系列高电压，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor