SQ3442EV-T1-GE3

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SQ3442EV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.7 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQ3442EV-T1-GE3
型号: SQ3442EV-T1-GE3
描述:汽车N沟道20 V (D -S ), 175℃ MOSFET Automotive N-Channel 20 V D-S 175 °C MOSFET

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