SIE876DF-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SIE876DF-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 60.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 mA

封装参数

引脚数 10

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIE876DF-T1-GE3

型号： SIE876DF-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：N通道60 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 60-V D-S MOSFET