SI4420DY参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4420DY概述

Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8Pin SOIC

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Industry-leading quality

.: Low Switching Losses

.: Low Conduction Losses

得捷:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC

SI4420DY中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 12.5 A

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta

产品系列 SI4420DY

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 12.5 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2240pF @15VVds

下降时间 47 ns

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SI4420DY

型号： SI4420DY

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8Pin SOIC

替代型号SI4420DY

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4420DY Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
SI4420DYPBF 英飞凌	功能相似	SI4420DY和SI4420DYPBF的区别
SI4420DYTRPBF 英飞凌	功能相似	SI4420DY和SI4420DYTRPBF的区别
SI4420DY-E3 Vishay Siliconix	功能相似	SI4420DY和SI4420DY-E3的区别