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SI4435DYTR概述

SOIC P-CH 30V 8A

表面贴装型 P 通道 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO

SI4435DYTR中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8A

输入电容Ciss 2320pF @15VVds

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SI4435DYTR

型号： SI4435DYTR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC P-CH 30V 8A

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