SI1032R-T1-E3

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SI1032R-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 5.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 280 mW

漏源极电压Vds 20.0 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±6.00 V

连续漏极电流Ids 200 mA

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1032R-T1-E3
描述:N沟道1.5 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.5-V G-S MOSFET

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