SI1419DH-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI1419DH-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -200 V

连续漏极电流Ids -380 mA

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1419DH-T1-E3

型号： SI1419DH-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：P沟道200 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 200-V D-S MOSFET