SI3433BDV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3433BDV-T1-E3概述

VISHAY SI3433BDV-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.034 ohm, -4.5 V, -450 mV

The is a 1.8VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-Pin TSOP T/R

SI3433BDV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.034 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.1 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -5.60 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI3433BDV-T1-E3

型号： SI3433BDV-T1-E3

描述：VISHAY SI3433BDV-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.034 ohm, -4.5 V, -450 mV

替代型号SI3433BDV-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI3433BDV-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
DMP2066LDM-7 美台	功能相似	SI3433BDV-T1-E3和DMP2066LDM-7的区别
PMN40UPE 恩智浦	功能相似	SI3433BDV-T1-E3和PMN40UPE的区别
PMN40UPEA 恩智浦	功能相似	SI3433BDV-T1-E3和PMN40UPEA的区别