SI1470DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.055 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
输入电容Ciss 510pF @15VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363
其他
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI1470DH-T1-E3
型号： SI1470DH-T1-E3
描述：VISHAY SI1470DH-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 1.6 V