SI3434DV-T1-E3

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SI3434DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.14 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 4.60 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI3434DV-T1-E3
型号: SI3434DV-T1-E3
描述:VISHAY  SI3434DV-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 0.028 ohm, 4.5 V, 600 mV

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