SI1488DH-T1-E3

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SI1488DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6.10 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1488DH-T1-E3
描述:N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V D-S MOSFET

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