SI1013R-T1-E3

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SI1013R-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.20 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 150 mW

漏源极电压Vds -20.0 V

漏源击穿电压 -20.0 V

栅源击穿电压 ±6.00 V

连续漏极电流Ids -350 mA

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1013R-T1-E3
描述:P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V G-S MOSFET

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