SI3446ADV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3446ADV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 65 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输入电容Ciss 640pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1 mm

封装 TSOP

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3446ADV-T1-E3

型号： SI3446ADV-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI3446ADV-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 6A, TSOP

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