VISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
**Features:
**
* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition
* TrenchFET® Power MOSFET: 1.8 V Rated
* Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life
* New PowerPAK® Package - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile
* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
**Applications:
**
* Load/Power Switching in Portable Devices
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 8V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3.5A; 1.25W; SOT23
额定功率 1.25 W
针脚数 3
漏源极电阻 52 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds -8.00 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
封装 TO-236
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2305DS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRLML6401TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI2305DS-T1-E3和IRLML6401TRPBF的区别 |
SI2305CDS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI2305DS-T1-E3和SI2305CDS-T1-GE3的区别 |
IRLML6401PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI2305DS-T1-E3和IRLML6401PBF的区别 |