SI1410EDH-T1-E3

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SI1410EDH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 70.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.56 W

漏源极电压Vds 20.0 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 3.70 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-363

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1410EDH-T1-E3
描述:N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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