VISHAY SI1411DH-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -420 mA, -150 V, 2.05 ohm, -6 V, -4.5 V
The is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp circuits in DC-to-DC power supplies.
针脚数 6
漏源极电阻 2.05 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds -150 V
连续漏极电流Ids -520 mA
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
数据手册