SI1411DH-T1-E3

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SI1411DH-T1-E3概述

VISHAY  SI1411DH-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -420 mA, -150 V, 2.05 ohm, -6 V, -4.5 V

The is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp circuits in DC-to-DC power supplies.

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Small, thermally enhanced package
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Ultra-low ON-resistance
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-55 to 150°C Operating temperature range
SI1411DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 2.05 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds -150 V

连续漏极电流Ids -520 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI1411DH-T1-E3
型号: SI1411DH-T1-E3
描述:VISHAY  SI1411DH-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -420 mA, -150 V, 2.05 ohm, -6 V, -4.5 V

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