SI7459DP-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7459DP-T1-E3概述

VISHAY SI7459DP-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -13A, -30V, 0.0056Ω, -10V, -3V

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available * TrenchFET® Power MOSFETs * New Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Low 1.07 mm Profile

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin PowerPAK SO T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin PowerPAK SO T/R

SI7459DP-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.0056 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -22.0 A

上升时间 20 ns

下降时间 130 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7459DP-T1-E3

型号： SI7459DP-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI7459DP-T1-E3 MOSFET Transistor, P Channel, -13A, -30V, 0.0056Ω, -10V, -3V

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