SI7476DP-T1-E3

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SI7476DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.4 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7476DP-T1-E3
型号: SI7476DP-T1-E3
描述:N通道40 -V (D -S )快速开关MOSFET N-Channel 40-V D-S Fast Switching MOSFET

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