SI1305EDL-T1-E3

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SI1305EDL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 280 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 340 mW

栅源击穿电压 ±8.00 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1305EDL-T1-E3
描述:MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

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