SI4470EY-T1-E3

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SI4470EY-T1-E3概述

VISHAY  SI4470EY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.7 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


e络盟:
VISHAY  SI4470EY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.7 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V


Allied Electronics:
N-CHANNEL, 60V D-S MOSFET


SI4470EY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.009 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.85 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 12.7 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4470EY-T1-E3
型号: SI4470EY-T1-E3
描述:VISHAY  SI4470EY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.7 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V
替代型号SI4470EY-T1-E3
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