SI3459DV-T1-E3

SI3459DV-T1-E3图片1
SI3459DV-T1-E3图片2
SI3459DV-T1-E3图片3
SI3459DV-T1-E3图片4
SI3459DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 220 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.00 W

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -2.20 A to 2.20 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 TSOP-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3459DV-T1-E3
型号: SI3459DV-T1-E3
描述:Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6Pin TSOP T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台