SI5856DC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI5856DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 20.0 V

连续漏极电流Ids 5.90 A

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5856DC-T1-E3

型号： SI5856DC-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：N沟道1.8 -V （G -S ） MOSFET和肖特基二极管 N-Channel 1.8-V G-S MOSFET With Schottky Diode