SI2308DS-T1-E3

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SI2308DS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 160 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 60.0 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI2308DS-T1-E3
描述:N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V D-S MOSFET

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