VISHAY SI3424DV-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 800 mV
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- -55 to 150°C Operating temperature range
e络盟:
VISHAY SI3424DV-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 800 mV
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin TSOP T/R
针脚数 6
漏源极电阻 0.023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.14 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP
封装 TSOP
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI3424DV-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
PMN35EN 恩智浦 | 功能相似 | SI3424DV-T1-E3和PMN35EN的区别 |