SI4466DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4466DY-T1-E3概述

VISHAY SI4466DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• TrenchFET® Power MOSFETs

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

e络盟:
VISHAY SI4466DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R

SI4466DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 9 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 13.5 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4466DY-T1-E3

型号： SI4466DY-T1-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI4466DY-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V 13.5A 8-SOIC

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