SI3499DV-T1-E3

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SI3499DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 48.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.10 W

漏源极电压Vds -8.00 V

栅源击穿电压 ±5.00 V

连续漏极电流Ids -7.00 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI3499DV-T1-E3
型号: SI3499DV-T1-E3
描述:P沟道1.5 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.5-V G-S MOSFET
替代型号SI3499DV-T1-E3
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