SI6435ADQ-T1-GE3

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SI6435ADQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

上升时间 10 ns

下降时间 17 ns

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6435ADQ-T1-GE3
型号: SI6435ADQ-T1-GE3
描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8Pin TSSOP T/R

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