SI2305ADS-T1-GE3

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SI2305ADS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 88 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 960 mW

漏源极电压Vds -8.00 V

连续漏极电流Ids -4.10 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

封装 TO-236

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2305ADS-T1-GE3
型号: SI2305ADS-T1-GE3
描述:VISHAY  SI2305ADS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 4.1A, TO-236
替代型号SI2305ADS-T1-GE3
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