VISHAY SI4486EY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
e络盟:
VISHAY SI4486EY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC N T/R
Allied Electronics:
MOSFET; N-Ch; VDSS 100V; RDSON 0.021Ohm; ID 5.4A; SO-8; PD 1.8W; VGS +/-20V; gFS 35S
针脚数 8
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.90 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI4486EY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4102DY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI4486EY-T1-E3和SI4102DY-T1-GE3的区别 |