SI7802DN-T1-E3

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SI7802DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.36 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

阈值电压 3.6 V

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 19.5 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI7802DN-T1-E3
型号: SI7802DN-T1-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 250V 1.24A 8Pin PowerPAK 1212 T/R

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