SI4825DY-T1-E3

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SI4825DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 140 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 3.00 W

漏源极电压Vds -30.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids -9.20 A

封装参数

引脚数 8

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI4825DY-T1-E3
描述:P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V D-S MOSFET

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