SI8424DB-T1-E1

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SI8424DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.78 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 8 V

连续漏极电流Ids 1.30 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 MFP-4

外形尺寸

封装 MFP-4

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8424DB-T1-E1
型号: SI8424DB-T1-E1
描述:N沟道1.2 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 1.2-V G-S MOSFET
替代型号SI8424DB-T1-E1
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