漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.78 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 8 V
连续漏极电流Ids 1.30 A
工作温度Max 150 ℃
引脚数 4
封装 MFP-4
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
SI8424DB-T1-E1
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SI8424CDB-T1-E1
威世
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