SI7718DN-T1-GE3

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SI7718DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 8.2 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.7 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

封装 1212

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7718DN-T1-GE3
型号: SI7718DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7718DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A POWERPAK
替代型号SI7718DN-T1-GE3
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