SI6435ADQ-T1-E3

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SI6435ADQ-T1-E3概述

VISHAY  SI6435ADQ-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -1 V

The is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.7A 8-Pin TSSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-Pin TSSOP T/R


富昌:
单 P 沟道 30 V 0.03 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TSSOP-8


SI6435ADQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds -30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.70 A

热阻 120℃/W RθJA

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

长度 4.5 mm

高度 1.05 mm

封装 TSSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI6435ADQ-T1-E3
型号: SI6435ADQ-T1-E3
描述:VISHAY  SI6435ADQ-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5.5 A, -30 V, 0.024 ohm, -10 V, -1 V
替代型号SI6435ADQ-T1-E3
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