针脚数 8
漏源极电阻 8.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
SI7784DP-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SIR468DP-T1-GE3
威世
功能相似