SI7784DP-T1-GE3

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SI7784DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 8.2 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7784DP-T1-GE3
型号: SI7784DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7784DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A, SOIC, 整卷
替代型号SI7784DP-T1-GE3
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