SI4104DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4104DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 446pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC

其他

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4104DY-T1-GE3

型号： SI4104DY-T1-GE3

描述：N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

替代型号SI4104DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4104DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI4100DY-T1-GE3 威世	类似代替	SI4104DY-T1-GE3和SI4100DY-T1-GE3的区别

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