SIA417DJ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SIA417DJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -8.00 V

连续漏极电流Ids -12.0 A

封装参数

引脚数 6

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA417DJ-T1-GE3

型号： SIA417DJ-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SIA417DJ-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 12A, SC-70