SI5402BDC-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI5402BDC-T1-E3概述

VISHAY SI5402BDC-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 30 V, 0.029 ohm, 10 V, 20 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-Pin Chip FET T/R

Allied Electronics:
N-CHANNEL 30-V D-S MOSFET

SI5402BDC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.029 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 20 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.70 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

长度 3.1 mm

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI5402BDC-T1-E3

型号： SI5402BDC-T1-E3

描述：VISHAY SI5402BDC-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.9 A, 30 V, 0.029 ohm, 10 V, 20 V