SI2323DS-T1

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SI2323DS-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 39.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源击穿电压 -20.0 V

连续漏极电流Ids -4.70 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

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型号: SI2323DS-T1
描述:P通道20 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 20-V D-S MOSFET

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