SIE806DF-T1-E3

SIE806DF-T1-E3图片1
SIE806DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 125 mW

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

封装参数

引脚数 10

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE806DF-T1-E3
型号: SIE806DF-T1-E3
描述:MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V

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