SI5435BDC-T1-E3

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SI5435BDC-T1-E3概述

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin Chip FET T/R


Allied Electronics:
P-CHANNEL 30-V D-S MOSFET


SI5435BDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -5.90 A

热阻 50℃/W RθJA

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5435BDC-T1-E3
型号: SI5435BDC-T1-E3
描述:P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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