SI4110DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4110DY-T1-GE3概述

VISHAY SI4110DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 17.3A, SOIC-8

FEATURES

• Halogen-free

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 % Rg Tested

• 100 % UIS Tested

APPLICATIONS

• Primary Side Switch

• Half Bridge

• Intermediate Bus Converter

e络盟:
VISHAY SI4110DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.3 A, 80 V, 10.8 mohm, 10 V, 2 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 11.7A 8-Pin SOIC N T/R

SI4110DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0108 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 7.8 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 17.3 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4110DY-T1-GE3

型号： SI4110DY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI4110DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 17.3A, SOIC-8

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SI4110DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
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