SI6467BDQ-T1-E3

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SI6467BDQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.016 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.05 W

阈值电压 450 mV

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP

外形尺寸

封装 TSSOP

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI6467BDQ-T1-E3
型号: SI6467BDQ-T1-E3
描述:VISHAY  SI6467BDQ-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6.8 A, -12 V, 0.016 ohm, -1.8 V, 450 mV

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