SI4446DY-T1-GE3

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SI4446DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 33 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.1 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 3.90 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4446DY-T1-GE3
型号: SI4446DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4446DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9A, 40V, 1.1W
替代型号SI4446DY-T1-GE3
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