SI4688DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4688DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4688DY-T1-GE3

型号： SI4688DY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC