SIE800DF-T1-E3

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SIE800DF-T1-E3概述

N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V D-S MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• Extremely Low Qgd for Low Switching Losses

• TrenchFET®Power MOSFET

• Ultra Low Thermal Resistance Using Top Exposed PolarPAK® Package for Double-Sided Cooling

• Leadframe-Based New Encapsulated Package

\- Die Not Exposed

\- Same Layout Regardless of Die Size

• Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through

• 100 % Rg and UIS Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•VRM

• DC/DC Conversion: High-Side

• Synchronous Rectification

SIE800DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0072 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SIE800DF-T1-E3
型号: SIE800DF-T1-E3
描述:N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V D-S MOSFET
替代型号SIE800DF-T1-E3
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