SI1071X-T1-GE3

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SI1071X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.139 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 236 mW

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -960 mA

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SC-89

外形尺寸

封装 SC-89

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: SI1071X-T1-GE3
描述:VISHAY  SI1071X-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -960 mA, -30 V, 0.139 ohm, -10 V, -1.45 V

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