SI1054X-T1-GE3

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SI1054X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 12.0 V

连续漏极电流Ids 1.32 A

封装参数

引脚数 6

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1054X-T1-GE3
描述:N通道12 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 12-V D-S MOSFET

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