SI1054X-T1-GE3
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SI1054X-T1-GE3
SI1054X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性
N-Channel
漏源极电压Vds
12.0 V
连续漏极电流Ids
1.32 A
封装参数
引脚数
6
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
数据手册
在线购买SI1054X-T1-GE3
型号:
SI1054X-T1-GE3
制造商:
Vishay Semiconductor 威世
描述:
N通道12 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 12-V D-S MOSFET
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