SI1073X-T1-GE3

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SI1073X-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -980 mA

上升时间 28 ns

下降时间 12 ns

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SI1073X-T1-GE3
描述:P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V D-S MOSFET

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